پژوهشگران کره ای ریز ال ایی دی های از ماده نیمه هادی ارائه کرده اند که روی یک لایه گرافن قرار گرفته که ساختار آنها از انعطاف‌پذیری بالایی برخوردار است.
به گزارش خبرگزاری صدا وسیما، محققان کره‌ای ریز ال ایی دی هایی از جنس نیترید گالیم ساختند که روی یک لایه گرافن قرار دارد. به دلیل نوع معماری این ریز ای ایی دی ها، ساختار آنها از انعطاف‌پذیری بالایی برخوردارند.
محققان دانشگاه ملی سئول و سونگ کیونکوان به تازگی روشی برای رشد آرایه‌های نیترید گالیم بر روی یک لایه گرافن انعطاف‌پذیر ارائه کرده‌اند.
این ساختار که به آرایه‌های ریز دیسک شهرت دارد، از بلورینگی عالی برخوردار بوده و با جهت‌گیری یکنواخت درون صفحه، تابش نور آبی قوی را از خود نشان می‌دهند.
محققان ریز دیسک‌های GaN را روی یک لایه گرافن (که روی یک بستر یاقوت کبود قرار دارد) تثبت کردند، لایه‌ای که با یک ماسک SiO ۲ با الگوی ریز با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار آلی‌فلزی پوشانده شده است. این ریز دیسک‌ها در ادامه به ریز ال ایی دی تبدیل شده و سپس با موفقیت به روی بستر‌های قابل انعطاف منتقل شدند.
این تحقیق نشان داد که امکان رشد ای ایی دی های با کیفیت بالا بر روی گرافن و سپس ترکیب آن در دستگاه‌های microLED انعطاف‌پذیر وجود دارد.